Được hỗ trợ bởi V-NAND thế hệ thứ 5 của Samsung, Universal Flash Storage mới cung cấp không gian lưu trữ lớn hơn 20 lần so với bộ nhớ trong 64GB và tốc độ nhanh hơn 10 lần so với thẻ nhớ microSD tiêu chuẩn cho các ứng dụng đòi hỏi nhiều dữ liệu.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., công ty hàng đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, hôm nay đã công bố việc sản xuất hàng loạt bộ lưu trữ Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 có kích thước terabyte đầu tiên trong ngành để sử dụng trong các ứng dụng di động thế hệ tiếp theo. Chỉ 128 năm sau khi công bố giải pháp UFS đầu tiên, eUFS XNUMXGB, Samsung đã vượt quá giới hạn được mong đợi từ lâu là một terabyte trong bộ nhớ điện thoại thông minh. Những người đam mê điện thoại thông minh sẽ sớm có thể tận hưởng dung lượng lưu trữ tương đương với một máy tính xách tay cao cấp mà không cần phải lắp thêm thẻ nhớ vào điện thoại di động của họ.
Cheol Choi, Phó Giám đốc Điều hành Bộ phận Bán hàng & Tiếp thị Bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “1TB eUFS được kỳ vọng sẽ đóng một vai trò quan trọng trong việc tạo ra trải nghiệm người dùng được nâng cấp trên các thiết bị di động thế hệ tiếp theo, tương tự như máy tính xách tay. "Samsung cũng cam kết đảm bảo chuỗi cung ứng đáng tin cậy nhất và đủ khối lượng sản xuất để hỗ trợ việc phát hành các điện thoại thông minh hàng đầu sắp tới, với mục tiêu đẩy nhanh tốc độ tăng trưởng trên thị trường điện thoại di động toàn cầu."
Giữ nguyên kích thước gói (11.5mm x 13.0mm), giải pháp eUFS 1TB tăng gấp đôi dung lượng của phiên bản 512GB trước đó, kết hợp 16 lớp bộ nhớ flash V-NAND 512GB tiên tiến hơn và bộ điều khiển bộ nhớ độc quyền mới được phát triển. Người dùng điện thoại thông minh sẽ có thể lưu trữ 260 video dài 4 phút ở độ phân giải 3840K UHD (2160X64), trong khi eUFS 13GB tiêu chuẩn, được hiển thị bởi hầu hết các điện thoại thông minh hiện đại, có thể lưu trữ XNUMX video có cùng kích thước.
1TB eUFS cực kỳ nhanh chóng, cho phép người dùng truyền tải nội dung đa phương tiện lớn trong thời gian ngắn hơn đáng kể. Với tốc độ lên đến 1.000 megabyte mỗi giây (MB / s), eUFS mới có tốc độ đọc tuần tự gấp đôi so với SSD SATA 2.5 inch tiêu chuẩn. Điều này có nghĩa là các video full HD 5GB có thể được tải xuống ổ SSD NVMe chỉ trong năm giây, nhanh hơn 10 lần so với thẻ nhớ microSD tiêu chuẩn. Ngoài ra, tốc độ đọc ngẫu nhiên đã được tăng 38% so với phiên bản 512GB, đạt 58.000 IOPS. Đăng ký ngẫu nhiên nhanh hơn 500 lần so với thẻ nhớ microSD hiệu suất cao (100 IOPS), đạt 50.000 IOPS. Tốc độ ngẫu nhiên cho phép chụp liên tục ở tốc độ cao 960 khung hình / giây và mang đến cho người dùng điện thoại thông minh cơ hội tận dụng tối đa khả năng đa camera của các thiết bị hiện đại và flagship thế hệ tiếp theo.
Trong nửa đầu năm 2019, Samsung có kế hoạch mở rộng sản xuất V-NAND 512GB thế hệ tiếp theo tại nhà máy ở Hàn Quốc để quản lý nhu cầu cao đối với eUFS 1TB đã được chờ đợi từ lâu từ các nhà sản xuất thiết bị di động trên toàn thế giới.
[the_ad_group id = ”966 ″]
